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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IPD65R1K4CFDBTMA1（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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Infineon產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無最低起訂量

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：IPD65R1K4CFDBTMA1

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IPD65R1K4CFDBTMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：CoolMOS?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：2.8A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.4 歐姆 @ 1A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：262pF @ 100V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：28.4W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PG-TO252-3

IPD65R1K4CFDBTMA1均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

質(zhì)量是南皇電子從眾多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

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