GaN是下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快 20 倍，功率增加 3 倍，節(jié)能 40%，充電速度提高 3 倍，而尺寸和重量減半。...
Navitas GaNFast IC 于三年前首次向移動(dòng)客戶推出，并已成為這些市場(chǎng)的主流顛覆性力量，為具有超輕量和小型化外形的移動(dòng)設(shè)備提供前所未有的高效和超快速充電。...
氮化鎵 (GaN ) 是一種下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快 20 倍，并且在尺寸和重量減半的情況下，功率提高了 3 倍，充電速度提高了 3 倍。...
iQOO 120W GaNFast 充電器重量?jī)H為 135 克，是 GaN 充電歷史上的另一個(gè)里程碑，這意味著它在尺寸和重量上與普通的 65W 充電器相似。...
新的設(shè)計(jì)中心位于中國(guó)杭州，擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的世界級(jí)電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)，他們?cè)陔姎狻崃蜋C(jī)械設(shè)計(jì)、軟件開(kāi)發(fā)以及完整的仿真和原型設(shè)計(jì)能力方面具有全面的能力。...
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