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        深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

        


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        圖片信息
        

        G3R20MT12N圖片
        

        

        

        

        基本技術(shù)信息：
        

      1. 電子器件型號(hào)：G3R20MT12N
        2. 

      2. 原始制造廠商：GeneSiC
        3. 

      3. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
        4. 

      4. 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
        5. 

      5. 點(diǎn)擊此處下載G3R20MT12N的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
        6. 

      6. 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術(shù)參數(shù)詳解：
        

      7. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：G3R20MT12N
      8. 制造商：GeneSiC Semiconductor
      9. 描述：SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
      10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
      11. 產(chǎn)品系列：G3R?
      12. 零件狀態(tài)：有源
      13. FET類型：N 通道
      14. 技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
      15. 漏源電壓（Vdss）：1200V
      16. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：105A（Tc）
      17. 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V
      18. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 60A，15V
      19. 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.69V @ 15mA
      20. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：219nC @ 15V
      21. Vgs（最大值）：+20V，-10V
      22. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：5873pF @ 800V
      23. FET功能：-
      24. 功率耗散（最大值）：365W（Tc）
      25. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
      26. 安裝類型：底座安裝
      27. 器件封裝：SOT-227
      28. G3R20MT12N均從GeneSiC代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
        29. 

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