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        圖片信息
        

        IRFHM8363TR2PBF圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：IRFHM8363TR2PBF
        2. 

      2. 原始制造廠商：IR，國際整流器
        3. 

      3. 技術標準參數：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
        4. 

      4. 產品應用分類：場效應管陣列
        5. 

      5. 點擊此處下載IRFHM8363TR2PBF的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

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        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 制造商產品型號：IRFHM8363TR2PBF
      8. 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購
      9. 描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
      10. 系列：HEXFET
      11. FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
      12. FET 功能：邏輯電平門
      13. 漏源極電壓 (Vdss)：30V
      14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：11A
      15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：14.9 毫歐 @ 10A，10V
      16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA
      17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V
      18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1165pF @ 10V
      19. 功率 - 最大值：2.7W
      20. 安裝類型：表面貼裝
      21. 產品封裝：8-PowerVDFN
      22. 供應商器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3）， Power33
      23. IRFHM8363TR2PBF均從IR代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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        除IR外，我司還在以下品牌具有優勢：Wurth | WeEn | U-Blox | Trinamic | Traco Power | 
        

        

        

        

        



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