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        圖片信息
        

        IRFR9N20DTRL圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：IRFR9N20DTRL
        2. 

      2. 原始制造廠商：IR，國際整流器
        3. 

      3. 技術標準參數：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
        4. 

      4. 產品應用分類：單端場效應管
        5. 

      5. 點擊此處下載IRFR9N20DTRL的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

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        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 制造商產品型號：IRFR9N20DTRL
      8. 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購
      9. 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
      10. 系列：HEXFET
      11. FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
      12. FET 功能：標準
      13. 漏源極電壓 (Vdss)：200V
      14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：9.4A（Tc）
      15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：380 毫歐 @ 5.6A，10V
      16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA
      17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：27nC @ 10V
      18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：560pF @ 25V
      19. 功率 - 最大值：86W
      20. 安裝類型：表面貼裝
      21. 產品封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
      22. 供應商器件封裝：D-Pak
      23. IRFR9N20DTRL均從IR代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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