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        圖片信息
        

        IS43DR86400E-3DBLI圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：IS43DR86400E-3DBLI
        2. 

      2. 原始制造廠商：ISSI
        3. 

      3. 技術標準參數：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
        4. 

      4. 產品應用分類：存儲器
        5. 

      5. 點擊此處下載IS43DR86400E-3DBLI的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

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        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 制造商產品型號：IS43DR86400E-3DBLI
      8. 制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
      9. 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
      10. 產品系列：存儲器
      11. 包裝：托盤
      12. 系列：-
      13. 零件狀態：有源
      14. 存儲器類型：易失
      15. 存儲器格式：DRAM
      16. 技術：SDRAM - DDR2
      17. 存儲容量：512Mb（64M x 8）
      18. 存儲器接口：并聯
      19. 時鐘頻率：333MHz
      20. 寫周期時間-字，頁：15ns
      21. 訪問時間：450ns
      22. 電壓-供電：1.7V ~ 1.9V
      23. 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
      24. 安裝類型：表面貼裝型
      25. 產品封裝：60-TFBGA
      26. IS43DR86400E-3DBLI均從ISSI代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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        除ISSI外，我司還在以下品牌具有優勢：TDK | Spansion | SK Hynix | Silicon Labs | Sharp | 
        

        

        

        

        



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