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深圳市南皇電子有限公司長期提供IXTP1R6N100D2（品牌: IXYS）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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IXTP1R6N100D2 - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，IXYS代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：IXTP1R6N100D2

原始制造廠商：IXYS

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：IXTP1R6N100D2

制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）

描述：MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：1000V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：1.6A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：10 歐姆 @ 800mA，0V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：27nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：645pF @ 25V

FET功能：耗盡模式

功率耗散（最大值）：100W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：TO-220AB

IXTP1R6N100D2均從IXYS代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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質(zhì)量是南皇電子從眾多競爭對手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

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