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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供AIHD06N60RATMA1（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

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Infineon產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無(wú)最低起訂量

AIHD06N60RATMA1 - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Infineon代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：AIHD06N60RATMA1

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IC DISCRETE 600V TO252-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：AIHD06N60RATMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：IC DISCRETE 600V TO252-3

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類(lèi)型：溝槽型場(chǎng)截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：12A

電流-集電極脈沖(Icm)：18A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，6A

功率-最大值：100W

開(kāi)關(guān)能量：110μJ（開(kāi)），220μJ（關(guān)）

輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：48nC

25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：12ns/127ns

測(cè)試條件：400V，6A，23 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類(lèi)型：表面貼裝型

封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

AIHD06N60RATMA1均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

質(zhì)量是南皇電子從眾多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

Infineon

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