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        圖片信息
        

        AIHD10N60RATMA1圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：AIHD10N60RATMA1
        2. 

      2. 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
        3. 

      3. 技術標準參數：IC DISCRETE 600V TO252-3
        4. 

      4. 產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
        5. 

      5. 點擊此處下載AIHD10N60RATMA1的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

      6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 制造商產品型號：AIHD10N60RATMA1
      8. 制造商：Infineon Technologies
      9. 描述：IC DISCRETE 600V TO252-3
      10. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
      11. 產品系列：-
      12. 零件狀態：最後搶購
      13. IGBT類型：溝槽型場截止
      14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
      15. 電流-集電極(Ic)（最大值）：20A
      16. 電流-集電極脈沖(Icm)：30A
      17. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，10A
      18. 功率-最大值：150W
      19. 開關能量：210μJ（開），380μJ（關）
      20. 輸入類型：標準
      21. 柵極電荷：64nC
      22. 25°C時Td（開/關）值：14ns/192ns
      23. 測試條件：400V，10A，23 歐姆，15V
      24. 反向恢復時間(trr)：-
      25. 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
      26. 安裝類型：表面貼裝型
      27. 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
      28. AIHD10N60RATMA1均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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        深圳市南皇電子有限公司 - AIHD10N60RATMA1 - Infineon公司芯片現貨領導代理商
        
  
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        除Infineon外，我司還在以下品牌具有優勢：Weidmuller | Walsin | TXC | Transphorm | Telit | 
        

        

        

        

        



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