深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供BSZ086P03NS3E G（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：BSZ086P03NS3E G制造廠家名稱：Infineon Technologies描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8系列：OptiMOS?FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：13.5A（Ta），40A（Tc）不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：8.6 毫歐 @ 20A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 105μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：57.5nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：4785pF @ 15V功率 - 最大值：69W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）BSZ086P03NS3E G均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
