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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IGB03N120H2ATMA1（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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Infineon產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無最低起訂量

IGB03N120H2ATMA1 - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Infineon代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：IGB03N120H2ATMA1

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IGB03N120H2ATMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：最後搶購

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：9.6A

電流-集電極脈沖(Icm)：9.9A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A

功率-最大值：62.5W

開關(guān)能量：290μJ

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：22nC

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：9.2ns/281ns

測(cè)試條件：800V，3A，82 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

IGB03N120H2ATMA1均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

質(zhì)量是南皇電子從眾多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

Infineon

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