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        圖片信息
        

        IPB054N08N3 G圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：IPB054N08N3 G
        2. 

      2. 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
        3. 

      3. 技術標準參數：MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
        4. 

      4. 產品應用分類：單端場效應管
        5. 

      5. 點擊此處下載IPB054N08N3 G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

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        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. Infineon英飛凌公司完整型號：IPB054N08N3 G
      8. 制造廠家名稱：Infineon Technologies
      9. 描述：MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
      10. 系列：OptiMOS?
      11. FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
      12. FET 功能：標準
      13. 漏源極電壓 (Vdss)：80V
      14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：80A（Tc）
      15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5.4 毫歐 @ 80A，10V
      16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 90μA
      17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：69nC @ 10V
      18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4750pF @ 40V
      19. 功率 - 最大值：150W
      20. 安裝類型：表面貼裝
      21. 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
      22. 供應商器件封裝：PG-TO263-2
      23. IPB054N08N3 G均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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