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        圖片信息
        

        IPB180N03S4L-H0圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：IPB180N03S4L-H0
        2. 

      2. 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
        3. 

      3. 技術標準參數：MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
        4. 

      4. 產品應用分類：單端場效應管
        5. 

      5. 點擊此處下載IPB180N03S4L-H0的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

      6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. Infineon英飛凌公司完整型號：IPB180N03S4L-H0
      8. 制造廠家名稱：Infineon Technologies
      9. 描述：MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
      10. 系列：OptiMOS?
      11. FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
      12. FET 功能：邏輯電平門
      13. 漏源極電壓 (Vdss)：30V
      14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：180A（Tc）
      15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：0.95 毫歐 @ 100A，10V
      16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 200μA
      17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：300nC @ 10V
      18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：23000pF @ 25V
      19. 功率 - 最大值：250W
      20. 安裝類型：表面貼裝
      21. 封裝/外殼：TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB
      22. 供應商器件封裝：PG-TO263-7-3
      23. IPB180N03S4L-H0均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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        除Infineon外，我司還在以下品牌具有優勢：Weidmuller | Walsin | TXC | Transphorm | Telit | 
        

        

        

        

        



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