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        圖片信息
        

        IPB65R099C6ATMA1圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：IPB65R099C6ATMA1
        2. 

      2. 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
        3. 

      3. 技術標準參數：MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK
        4. 

      4. 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
        5. 

      5. 點擊此處下載IPB65R099C6ATMA1的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
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        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 制造商產品型號：IPB65R099C6ATMA1
      8. 制造商：Infineon Technologies
      9. 描述：MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK
      10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
      11. 產品系列：CoolMOS?
      12. 零件狀態：停產
      13. FET類型：N 通道
      14. 技術：MOSFET（金屬氧化物）
      15. 漏源電壓（Vdss）：650V
      16. 25°C時電流-連續漏極(Id)：38A（Tc）
      17. 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
      18. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：99 毫歐 @ 12.8A，10V
      19. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1.2mA
      20. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：127nC @ 10V
      21. Vgs（最大值）：±20V
      22. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2780pF @ 100V
      23. FET功能：-
      24. 功率耗散（最大值）：278W（Tc）
      25. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
      26. 安裝類型：表面貼裝型
      27. 器件封裝：D2PAK（TO-263AB）
      28. IPB65R099C6ATMA1均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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