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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IPD800N06N G

技術標準參數：MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

Infineon英飛凌公司完整型號：IPD800N06N G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：16A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：80 毫歐 @ 16A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 16μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：370pF @ 30V

功率 - 最大值：47W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商器件封裝：PG-TO252-3

IPD800N06N G均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Infineon

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