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        深圳市南皇電子有限公司長期提供IPT111N20NFDATMA1（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
        
  
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        深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領先的國內(nèi)IC供應商
        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

        


        Infineon產(chǎn)品快速報價、當日發(fā)貨、無最低起訂量
        

        IPT111N20NFDATMA1 - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術支持，Infineon代理穩(wěn)定貨源。
        

        

        

        

        圖片信息
        

        IPT111N20NFDATMA1圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：IPT111N20NFDATMA1
        2. 

      2. 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
        3. 

      3. 技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
        4. 

      4. 產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
        5. 

      5. 點擊此處下載IPT111N20NFDATMA1的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

      6. 現(xiàn)貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數(shù)詳解：
        

      7. 制造商產(chǎn)品型號：IPT111N20NFDATMA1
      8. 制造商：Infineon Technologies
      9. 描述：MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
      10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
      11. 產(chǎn)品系列：OptiMOS?
      12. 零件狀態(tài)：有源
      13. FET類型：N 通道
      14. 技術：MOSFET（金屬氧化物）
      15. 漏源電壓（Vdss）：200V
      16. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：96A（Tc）
      17. 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
      18. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：11.1 毫歐 @ 96A，10V
      19. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 267μA
      20. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：87nC @ 10V
      21. Vgs（最大值）：±20V
      22. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：7000pF @ 100V
      23. FET功能：-
      24. 功率耗散（最大值）：375W（Tc）
      25. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
      26. 安裝類型：表面貼裝型
      27. 器件封裝：PG-HSOF-8-1
      28. IPT111N20NFDATMA1均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
        29. 

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        除Infineon外，我司還在以下品牌具有優(yōu)勢：Abracon | Weidmuller | Walsin | TXC | Transphorm | 
        

        

        

        

        



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