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深圳市南皇電子有限公司長期提供IRF5803D2TRPBF（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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IRF5803D2TRPBF - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，Infineon代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：IRF5803D2TRPBF

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：IRF5803D2TRPBF

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：FETKY?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3.4A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：112 毫歐 @ 3.4A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：37nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1110pF @ 25V

FET功能：肖特基二極管（隔離式）

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-SO

IRF5803D2TRPBF均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

質(zhì)量是南皇電子從眾多競爭對手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

IPB260N06N3GATMA1

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IRFB31N20DPBF

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