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        圖片信息
        MT9VDDT6472HY-40BJ1圖片
        基本技術信息:
      1. 電子器件型號:MT9VDDT6472HY-40BJ1
      2. 原始制造廠商:Micron,美光半導體
      3. 技術標準參數:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
      4. 產品應用分類:存儲器 - 模塊
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      7. 技術參數詳解:
      8. Micron美光半導體完整型號: MT9VDDT6472HY-40BJ1
      9. 制造廠家名稱: Micron Technology Inc.
      10. 功能總體簡述: MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
      11. 系列: -
      12. 存儲器類型: DDR SDRAM
      13. 存儲容量: 512MB
      14. 速度: 400MT/s
      15. 封裝/外殼: 200-SODIMM
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