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        圖片信息
        

        APT65GP60L2DQ2G圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：APT65GP60L2DQ2G
        2. 

      2. 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
        3. 

      3. 技術標準參數：IGBT 600V 198A 833W TO264
        4. 

      4. 產品應用分類：單路IGBT
        5. 

      5. 點擊此處下載APT65GP60L2DQ2G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

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        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. Microsemi美高森美完整型號：APT65GP60L2DQ2G
      8. 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
      9. 描述：IGBT 600V 198A 833W TO264
      10. 系列：POWER MOS 7
      11. IGBT 類型：PT
      12. 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
      13. 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：198A
      14. Current - Collector Pulsed (Icm)：250A
      15. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，65A
      16. 功率 - 最大值：833W
      17. Switching Energy：605μJ （開）， 895μJ （關）
      18. 輸入類型：標準
      19. Gate Charge：210nC
      20. 25°C 時 Td（開/關）值：30ns/90ns
      21. Test Condition：400V, 65A, 5 歐姆, 15V
      22. 反向恢復時間 (trr)：-
      23. 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA
      24. 安裝類型：通孔
      25. 供應商器件封裝：*
      26. APT65GP60L2DQ2G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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        除Microsemi外，我司還在以下品牌具有優勢：ScioSense | Quectel | Navitas | Mornsun | Mitsumi | 
        

        

        

        

        



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