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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：APTC60DAM35T1G

原始制造廠商：Microsemi，美高森美

技術標準參數：MOSFET N-CH 600V 72A SP1

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：APTC60DAM35T1G

制造商：Microsemi Corporation

描述：MOSFET N-CH 600V 72A SP1

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態：停產

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C時電流-連續漏極(Id)：72A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：35 毫歐 @ 72A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 5.4mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：518nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：14000pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：416W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

器件封裝：SP1

APTC60DAM35T1G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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