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        圖片信息
        

        APTGT200H120G圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：APTGT200H120G
        2. 

      2. 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
        3. 

      3. 技術標準參數：IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
        4. 

      4. 產品應用分類：IGBT模塊
        5. 

      5. 點擊此處下載APTGT200H120G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

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        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. Microsemi美高森美完整型號：APTGT200H120G
      8. 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
      9. 描述：IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
      10. 系列：-
      11. IGBT 類型：溝道和場截止
      12. 配置：全橋反相器
      13. 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
      14. 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：280A
      15. 功率 - 最大值：890W
      16. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.1V @ 15V，200A
      17. 電流 - 集電極截止（最大值）：350μA
      18. 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：14nF @ 25V
      19. 輸入：標準
      20. NTC 熱敏電阻：無
      21. 安裝類型：底座安裝
      22. 封裝/外殼：SP6
      23. 供應商器件封裝：SP6
      24. APTGT200H120G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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        深圳市南皇電子有限公司 - APTGT200H120G - Microsemi公司芯片現貨領導代理商
        
  
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        除Microsemi外，我司還在以下品牌具有優勢：Kioxia | Kinetic | Johanson | IRISO | Integra | 
        

        

        

        

        



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