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        圖片信息
        

        APTM120DA30CT1G圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：APTM120DA30CT1G
        2. 

      2. 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
        3. 

      3. 技術標準參數：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
        4. 

      4. 產品應用分類：場效應管模塊
        5. 

      5. 點擊此處下載APTM120DA30CT1G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

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        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. Microsemi美高森美完整型號：APTM120DA30CT1G
      8. 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
      9. 描述：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
      10. 系列：POWER MOS 8?
      11. FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
      12. FET 功能：標準
      13. 漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
      14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：31A（Tc）
      15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：360 毫歐 @ 25A，10V
      16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
      17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：560nC @ 10V
      18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14560pF @ 25V
      19. 功率 - 最大值：657W
      20. 安裝類型：底座安裝
      21. 封裝/外殼：SP1
      22. 供應商器件封裝：SP1
      23. APTM120DA30CT1G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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        除Microsemi外，我司還在以下品牌具有優勢：NXP | Nexperia | MPS | Microsemi | Microchip | 
        

        

        

        

        



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