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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供PHD38N02LT（品牌: Nexperia）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

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Nexperia產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無(wú)最低起訂量

PHD38N02LT - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Nexperia代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：PHD38N02LT

原始制造廠商：Nexperia，安世半導(dǎo)體

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：FET，MOSFET - 單-晶體管

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技術(shù)參數(shù)詳解：

Nexperia公司器件型號(hào)：PHD38N02LT,118

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導(dǎo)體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK

所屬類(lèi)別：FET，MOSFET - 單-晶體管

系列：TrenchMOS??

零件狀態(tài)：在售

FET 類(lèi)型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss）：20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：44.7A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）：15.1nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：800pF @ 20V

Vgs（最大值）：-

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：57.6W（Tc）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：16 毫歐 @ 25A，5V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類(lèi)型：表面貼裝

Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝：DPAK

封裝形式：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

PHD38N02LT的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ)：10000 PCS

PHD38N02LT均從Nexperia代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

質(zhì)量是南皇電子從眾多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

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