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        圖片信息
        

        FDG6321C-F169圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：FDG6321C-F169
        2. 

      2. 原始制造廠商：ON，ON安森美半導體
        3. 

      3. 技術標準參數：INTEGRATED CIRCUIT
        4. 

      4. 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
        5. 

      5. 點擊此處下載FDG6321C-F169的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

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        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 制造商產品型號：FDG6321C-F169
      8. 制造商：ON Semiconductor
      9. 描述：INTEGRATED CIRCUIT
      10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
      11. 產品系列：-
      12. 零件狀態：停產
      13. FET類型：N 和 P 溝道
      14. FET功能：邏輯電平門
      15. 漏源電壓（Vdss）：25V
      16. 25°C時電流-連續漏極(Id)：500mA（Ta），410mA（Ta）
      17. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：450 毫歐 @ 500mA，4.5V，1.1 歐姆 @ 410mA，4.5V
      18. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
      19. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2.3nC @ 4.5V，1.5nC @ 4.5V
      20. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：50pF @ 10V，62pF @ 10V
      21. 功率-最大值：300mW
      22. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
      23. 安裝類型：表面貼裝型
      24. 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
      25. FDG6321C-F169均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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