深圳市南皇電子有限公司長期提供HGT1S3N60A4DS9A（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
技術參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：HGT1S3N60A4DS9A制造商：ON Semiconductor描述：IGBT 600V 17A 70W D2PAK系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：停產(chǎn)IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：17A電流-集電極脈沖(Icm)：40A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，3A功率-最大值：70W開關能量：37μJ（開），25μJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：21nC25°C時Td（開/關）值：6ns/73ns測試條件：390V，3A，50 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：29ns工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263ABHGT1S3N60A4DS9A均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
