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        圖片信息
        

        MUN5130DW1T1G圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：MUN5130DW1T1G
        2. 

      2. 原始制造廠商：ON，ON安森美半導體
        3. 

      3. 技術標準參數：TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
        4. 

      4. 產品應用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
        5. 

      5. 點擊此處下載MUN5130DW1T1G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

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        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 制造商產品型號：MUN5130DW1T1G
      8. 制造商：ON Semiconductor
      9. 描述：TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
      10. 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
      11. 零件狀態：有源
      12. 晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）
      13. 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
      14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
      15. 電阻器-基極(R1)：1 千歐
      16. 電阻器-發射極(R2)：1 千歐
      17. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：3 @ 5mA，10V
      18. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 5mA，10mA
      19. 電流-集電極截止（最大值）：500nA
      20. 頻率-躍遷：-
      21. 功率-最大值：250mW
      22. 安裝類型：表面貼裝型
      23. 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
      24. MUN5130DW1T1G均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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