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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：NGTB03N60R2DT4G

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 9A 600V DPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：NGTB03N60R2DT4G

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 9A 600V DPAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：9A

電流-集電極脈沖(Icm)：12A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，3A

功率-最大值：49W

開關(guān)能量：50μJ（開），27μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：17nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：27ns/59ns

測試條件：300V，3A，30 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：65ns

工作溫度：175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

NGTB03N60R2DT4G均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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