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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供NGTD30T120F2WP（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

NGTD30T120F2WP - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，ON代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：NGTD30T120F2WP

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：NGTD30T120F2WP

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝槽型場(chǎng)截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：-

電流-集電極脈沖(Icm)：200A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A

功率-最大值：-

開關(guān)能量：-

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：-

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：-

測(cè)試條件：-

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：模具

NGTD30T120F2WP均從ON代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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深圳市南皇電子有限公司 - NGTD30T120F2WP - ON公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求