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        圖片信息
        

        NTR2101PT1G圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：NTR2101PT1G
        2. 

      2. 原始制造廠商：ON，ON安森美半導體
        3. 

      3. 技術標準參數：MOSFET P-CH 8V SOT23-3
        4. 

      4. 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
        5. 

      5. 點擊此處下載NTR2101PT1G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

      6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 制造商產品型號：NTR2101PT1G
      8. 制造商：ON Semiconductor
      9. 描述：MOSFET P-CH 8V SOT23-3
      10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
      11. 產品系列：-
      12. 零件狀態：有源
      13. FET類型：P 通道
      14. 技術：MOSFET（金屬氧化物）
      15. 漏源電壓（Vdss）：8V
      16. 25°C時電流-連續漏極(Id)：3.7A（Ta）
      17. 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
      18. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：52 毫歐 @ 3.5A，4.5V
      19. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
      20. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5V
      21. Vgs（最大值）：±8V
      22. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1173pF @ 4V
      23. FET功能：-
      24. 功率耗散（最大值）：960mW（Ta）
      25. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
      26. 安裝類型：表面貼裝型
      27. 器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
      28. NTR2101PT1G均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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