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        圖片信息
        

        NVMFD6H846NLT1G圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：NVMFD6H846NLT1G
        2. 

      2. 原始制造廠商：ON，ON安森美半導體
        3. 

      3. 技術標準參數：MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL
        4. 

      4. 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
        5. 

      5. 點擊此處下載NVMFD6H846NLT1G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

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        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 制造商產品型號：NVMFD6H846NLT1G
      8. 制造商：ON Semiconductor
      9. 描述：MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL
      10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
      11. 產品系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
      12. 零件狀態：Automotive, AEC-Q101
      13. FET類型：有源
      14. FET功能：2 N-通道（雙）
      15. 漏源電壓（Vdss）：標準
      16. 25°C時電流-連續漏極(Id)：80V
      17. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：9，4A（Ta），31A（Tc）
      18. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：15 毫歐 @ 5A，10V
      19. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2V @ 21μA
      20. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：17nC @ 10V
      21. 功率-最大值：900pF @ 40V
      22. 工作溫度：3，2W（Ta），34W（Tc）
      23. 安裝類型：-55°C ~ 175°C（TJ）
      24. 封裝：表面貼裝型
      25. NVMFD6H846NLT1G均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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