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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：DTC115GUAT106

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術標準參數：TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

產品應用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

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技術參數詳解：

制造商產品型號：DTC115GUAT106

制造商：Rohm Semiconductor

描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

零件狀態：不適用於新設計

晶體管類型：NPN - 預偏壓

電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA

電壓-集射極擊穿（最大值）：50V

電阻器-基極(R1)：-

電阻器-發射極(R2)：100 kOhms

不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：82 @ 5mA，5V

不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA

電流-集電極截止（最大值）：500nA（ICBO）

頻率-躍遷：250MHz

功率-最大值：200mW

安裝類型：表面貼裝型

封裝：SC-70，SOT-323

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ROHM

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