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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供SP8M8FD5TB1（品牌: ROHM）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

SP8M8FD5TB1 - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，ROHM代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：SP8M8FD5TB1

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V 8SOP

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：SP8M8FD5TB1

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOP

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 和 P 溝道

FET功能：邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng)

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：6A（Ta），4.5A（Ta）

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：30毫歐 @ 6A，10V，56毫歐 @ 4.5A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：7.2nC @ 5V，8.5nC @ 5V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：520pF @ 10V，850pF @ 10V

功率-最大值：2W（Ta）

工作溫度：150°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

SP8M8FD5TB1均從ROHM代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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