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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：RJH60M3DPE-00#J3

原始制造廠商：Renesas，瑞薩電子

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 35A 113W LDPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：RJH60M3DPE-00#J3

制造商：Renesas Electronics America Inc

描述：IGBT 600V 35A 113W LDPAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：溝道

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：35A

電流-集電極脈沖(Icm)：-

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，17A

功率-最大值：113W

開(kāi)關(guān)能量：290μJ（開(kāi)），290μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：60nC

25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：38ns/90ns

測(cè)試條件：300V，17A，5 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：90ns

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：SC-83

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