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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：RJH65D27BDPQ-A0#T2

原始制造廠商：Renesas，瑞薩電子

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT TRENCH 650V 100A TO247A

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：RJH65D27BDPQ-A0#T2

制造商：Renesas Electronics America Inc

描述：IGBT TRENCH 650V 100A TO247A

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝道

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：100A

電流-集電極脈沖(Icm)：-

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.65V @ 15V，50A

功率-最大值：375W

開關(guān)能量：1mJ（開），1.5mJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：175nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：20ns/165ns

測試條件：400V，50A，10 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：80ns

工作溫度：175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

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