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        圖片信息
        

        SCT10N120AG圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：SCT10N120AG
        2. 

      2. 原始制造廠商：ST，意法半導體
        3. 

      3. 技術標準參數：SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
        4. 

      4. 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
        5. 

      5. 點擊此處下載SCT10N120AG的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

      6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 制造商產品型號：SCT10N120AG
      8. 制造商：STMicroelectronics
      9. 描述：SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
      10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
      11. 產品系列：Automotive, AEC-Q101
      12. 零件狀態：有源
      13. FET類型：N 通道
      14. 技術：SiCFET（碳化硅）
      15. 漏源電壓（Vdss）：1200V
      16. 25°C時電流-連續漏極(Id)：12A（Tc）
      17. 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
      18. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：690 毫歐 @ 6A，20V
      19. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
      20. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 20V
      21. Vgs（最大值）：+25V，-10V
      22. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：290pF @ 400V
      23. FET功能：-
      24. 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
      25. 工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）
      26. 安裝類型：通孔
      27. 器件封裝：HiP247?
      28. SCT10N120AG均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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