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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：SCTW35N65G2VAG

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：SICFET N-CH 650V 45A HIP247

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：SCTW35N65G2VAG

制造商：STMicroelectronics

描述：SICFET N-CH 650V 45A HIP247

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：45A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V，20V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：67毫歐 @ 20A，20V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：73nC @ 20V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 400V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：240W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：HiP247?

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