深圳市南皇電子有限公司長期提供STB11NM60N-1（品牌: ST）充足現貨訂購、免費樣品
技術參數詳解：
制造商產品型號：STB11NM60N-1制造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：MDmesh? II零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時電流-連續漏極(Id)：10A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：450 毫歐 @ 5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：31nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：850pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：90W（Tc）工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：I2PAKSTB11NM60N-1均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
