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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：STGD5NB120SZ-1

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 1200V 10A 75W IPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGD5NB120SZ-1

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 1200V 10A 75W IPAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：PowerMESH?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：10A

電流-集電極脈沖(Icm)：10A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，5A

功率-最大值：75W

開關(guān)能量：2.59mJ（開），9mJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：-

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：690ns/12.1μs

測(cè)試條件：960V，5A，1 千歐，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

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