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        圖片信息
        

        STGW8M120DF3圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：STGW8M120DF3
        2. 

      2. 原始制造廠商：ST，意法半導體
        3. 

      3. 技術標準參數：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
        4. 

      4. 產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
        5. 

      5. 點擊此處下載STGW8M120DF3的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

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        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 制造商產品型號：STGW8M120DF3
      8. 制造商：STMicroelectronics
      9. 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
      10. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
      11. 產品系列：M
      12. 零件狀態：有源
      13. IGBT類型：溝槽型場截止
      14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
      15. 電流-集電極(Ic)（最大值）：16A
      16. 電流-集電極脈沖(Icm)：32A
      17. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，8A
      18. 功率-最大值：167W
      19. 開關能量：390μJ（開），370μJ（關）
      20. 輸入類型：標準
      21. 柵極電荷：32nC
      22. 25°C時Td（開/關）值：20ns/126ns
      23. 測試條件：600V，8A，33 歐姆，15V
      24. 反向恢復時間(trr)：103ns
      25. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
      26. 安裝類型：通孔
      27. 封裝：TO-247-3
      28. STGW8M120DF3均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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