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        圖片信息
        K4B8G0846D-BYNB圖片
        基本技術信息:
      1. 電子器件型號:K4B8G0846D-BYNB
      2. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
      3. 技術標準參數:SAMSUNG DRAM NAND
      4. 產品應用分類:雙倍數據率同步動態隨機存儲器
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      7. 技術參數詳解:
      8. 三星芯片型號:K4B8G0846D-BYNB
      9. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
      10. 功能類別:雙倍數據率同步動態隨機存儲器
      11. 容量:8Gb
      12. 架構:1G x 8
      13. 速率:2133 Mbps
      14. 工作電壓:1.35 V
      15. 工作溫度:0 ~ 85 °C
      16. 封裝:78FBGA
      17. 產品狀態:批量生產
      18. K4B8G0846D-BYNB均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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