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        圖片信息
        K4T1G163QJ-BI圖片
        基本技術信息:
      1. 電子器件型號:K4T1G163QJ-BI
      2. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
      3. 技術標準參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
      4. 產品應用分類:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
      5. 點擊此處下載K4T1G163QJ-BI的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
      6. 現(xiàn)貨供應,最快當日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產的所有大小批量采購需求!
      7. 技術參數(shù)詳解:
      8. 三星芯片型號:K4T1G163QJ-BI
      9. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
      10. 功能類別:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
      11. 容量:1Gb
      12. 架構:64M x 16
      13. 速率:1066 Mbps
      14. 工作電壓:1.8 V
      15. 工作溫度:-40 ~ 95 °C
      16. 封裝:84FBGA
      17. 產品狀態(tài):批量生產
      18. K4T1G163QJ-BI均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
      19. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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