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        圖片信息
        

        HN3C10FUTE85LF圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：HN3C10FUTE85LF
        2. 

      2. 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
        3. 

      3. 技術標準參數：RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
        4. 

      4. 產品應用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
        5. 

      5. 點擊此處下載HN3C10FUTE85LF的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

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        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 制造商產品型號：HN3C10FUTE85LF
      8. 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
      9. 描述：RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
      10. 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
      11. 零件狀態：停產
      12. 晶體管類型：2 NPN（雙）
      13. 電壓-集射極擊穿（最大值）：12V
      14. 頻率-躍遷：7GHz
      15. 噪聲系數（dB，不同f時的典型值）：1.1dB @ 1GHz
      16. 增益：11.5dB
      17. 功率-最大值：200mW
      18. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：80 @ 20mA，10V
      19. 電流-集電極(Ic)（最大值）：80mA
      20. 工作溫度：-
      21. 安裝類型：表面貼裝型
      22. 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
      23. HN3C10FUTE85LF均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
        24. 

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        深圳市南皇電子有限公司致力成為中國領先的IC供應商現貨庫存優化處理專家,一站式電子元器件采購增值配套,快速響應您的報價請求
        
  
        除Toshiba外，我司還在以下品牌具有優勢：pSemi | Panasonic | Murata | Mstar | MCC | 
        

        

        

        

        



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