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        圖片信息
        

        HN3C51F-GR(TE85L,F圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：HN3C51F-GR(TE85L,F
        2. 

      2. 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
        3. 

      3. 技術標準參數：TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
        4. 

      4. 產品應用分類：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列
        5. 

      5. 點擊此處下載HN3C51F-GR(TE85L,F的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

      6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 制造商產品型號：HN3C51F-GR(TE85L,F
      8. 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
      9. 描述：TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
      10. 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列
      11. 零件狀態：停產
      12. 晶體管類型：2 NPN（雙）
      13. 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
      14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：120V
      15. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 1mA，10mA
      16. 電流-集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
      17. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：200 @ 2mA，6V
      18. 功率-最大值：300mW
      19. 頻率-躍遷：100MHz
      20. 工作溫度：150°C（TJ）
      21. 安裝類型：表面貼裝型
      22. 封裝：SC-74，SOT-457
      23. HN3C51F-GR(TE85L,F均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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