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        圖片信息
        

        MT3S111P(TE12L,F)圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：MT3S111P(TE12L,F)
        2. 

      2. 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
        3. 

      3. 技術標準參數：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
        4. 

      4. 產品應用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
        5. 

      5. 點擊此處下載MT3S111P(TE12L,F)的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

      6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 制造商產品型號：MT3S111P(TE12L,F)
      8. 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
      9. 描述：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
      10. 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
      11. 零件狀態：有源
      12. 晶體管類型：NPN
      13. 電壓-集射極擊穿（最大值）：6V
      14. 頻率-躍遷：8GHz
      15. 噪聲系數（dB，不同f時的典型值）：1.25dB @ 1GHz
      16. 增益：10.5dB
      17. 功率-最大值：1W
      18. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：200 @ 30mA，5V
      19. 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
      20. 工作溫度：150°C（TJ）
      21. 安裝類型：表面貼裝型
      22. 封裝：TO-243AA
      23. MT3S111P(TE12L,F)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
        24. 

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        除Toshiba外，我司還在以下品牌具有優勢：IR | Infineon | FTDI | Fairchild | Diodes | 
        

        

        

        

        



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