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        圖片信息
        

        RN1961(TE85L,F)圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：RN1961(TE85L,F)
        2. 

      2. 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
        3. 

      3. 技術標準參數：TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
        4. 

      4. 產品應用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
        5. 

      5. 點擊此處下載RN1961(TE85L,F)的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

      6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 制造商產品型號：RN1961(TE85L,F)
      8. 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
      9. 描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
      10. 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
      11. 零件狀態：有源
      12. 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
      13. 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
      14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
      15. 電阻器-基極(R1)：4.7 千歐
      16. 電阻器-發射極(R2)：4.7 千歐
      17. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：30 @ 10mA，5V
      18. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
      19. 電流-集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
      20. 頻率-躍遷：250MHz
      21. 功率-最大值：200mW
      22. 安裝類型：表面貼裝型
      23. 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
      24. RN1961(TE85L,F)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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        除Toshiba外，我司還在以下品牌具有優勢：Inphi | ICPlus | GigaDevice | GeneSiC | FUJI | 
        

        

        

        

        



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