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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SSM6J212FE,LF

原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體

技術標準參數：MOSFET P-CH 20V 4A ES6

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：SSM6J212FE,LF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 20V 4A ES6

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：U-MOSVI

零件狀態：有源

FET類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續漏極(Id)：4A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：40.7 毫歐 @ 3A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：14.1nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：970pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：500mW（Ta）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：ES6

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