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        圖片信息
        

        SSM6N15FE(TE85L,F)圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：SSM6N15FE(TE85L,F)
        2. 

      2. 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
        3. 

      3. 技術標準參數：MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
        4. 

      4. 產品應用分類：FET - 陣列
        5. 

      5. 點擊此處下載SSM6N15FE(TE85L,F)的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

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        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 東芝半導體公司完整型號: SSM6N15FE(TE85L,F)
      8. 制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage
      9. 功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
      10. 系列: -
      11. FET 類型: 2 個 N 溝道（雙）
      12. FET 功能: 邏輯電平門
      13. 漏源極電壓（Vdss）: 30V
      14. 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 100mA
      15. 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）: 4 歐姆 @ 10mA，4V
      16. 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 100μA
      17. 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: -
      18. 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 7.8pF @ 3V
      19. 功率 - 最大值: 150mW
      20. 安裝類型: 表面貼裝
      21. 封裝/外殼: SOT-563，SOT-666
      22. 供應商器件封裝: ES6（1.6x1.6）
      23. SSM6N15FE(TE85L,F)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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