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        圖片信息
        

        TPC8117(TE12L,Q)圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：TPC8117(TE12L,Q)
        2. 

      2. 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
        3. 

      3. 技術標準參數：MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
        4. 

      4. 產品應用分類：單端場效應管
        5. 

      5. 點擊此處下載TPC8117(TE12L,Q)的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

      6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. 東芝半導體公司完整型號：TPC8117(TE12L,Q)
      8. 制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
      9. 描述：MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
      10. 系列：-
      11. FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
      12. FET 功能：邏輯電平門
      13. 漏源極電壓 (Vdss)：30V
      14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：18A（Ta）
      15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.9 毫歐 @ 9A，10V
      16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
      17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：130nC @ 10V
      18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4600pF @ 10V
      19. 功率 - 最大值：-
      20. 安裝類型：表面貼裝
      21. 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
      22. 供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
      23. TPC8117(TE12L,Q)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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        除Toshiba外，我司還在以下品牌具有優勢：Weidmuller | Walsin | TXC | Transphorm | Telit | 
        

        

        

        

        



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