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        深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IRFD113（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
        
  
        快速詢價(jià)熱線
        
  
  
        

        

        

        深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國(guó)內(nèi)IC供應(yīng)商
        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

        


        Vishay產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無(wú)最低起訂量
        

        IRFD113 - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Vishay代理穩(wěn)定貨源。
        

        

        

        

        圖片信息
        

        IRFD113圖片
        

        

        

        

        基本技術(shù)信息：
        

      1. 電子器件型號(hào)：IRFD113
        2. 

      2. 原始制造廠商：Vishay，威世
        3. 

      3. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
        4. 

      4. 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
        5. 

      5. 點(diǎn)擊此處下載IRFD113的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
        6. 

      6. 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術(shù)參數(shù)詳解：
        

      7. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRFD113
      8. 制造商：Vishay Siliconix
      9. 描述：MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
      10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
      11. 產(chǎn)品系列：-
      12. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
      13. FET類型：N 通道
      14. 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
      15. 漏源電壓（Vdss）：60V
      16. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：800mA（Tc）
      17. 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
      18. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：800 毫歐 @ 800mA，10V
      19. 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
      20. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：7nC @ 10V
      21. Vgs（最大值）：±20V
      22. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：200pF @ 25V
      23. FET功能：-
      24. 功率耗散（最大值）：1W（Tc）
      25. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
      26. 安裝類型：通孔
      27. 器件封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
      28. IRFD113均從Vishay代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
        29. 

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        Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
        

        

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