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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供SI4200DY-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

SI4200DY-T1-GE3 - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Vishay代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：SI4200DY-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：SI4200DY-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：TrenchFET?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：25V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：8A

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：25 毫歐 @ 7.3A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：415pF @ 13V

功率-最大值：2.8W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

SI4200DY-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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